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Micro LED直接阵列式自发光技术分析
资料介绍
一、技术定义与核心原理
Micro LED（Micro Light Emitting Diode）是一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的直接阵列式自发光显示技术。其核心特征在于将尺寸处于1-100μm量级的微型LED芯片直接集成在驱动基板上，通过控制每个像素的独立发光实现图像显示。与传统显示技术相比，该技术省去了背光源及彩色滤光片结构，每个Micro LED像素单元均可自主完成光电转换与色彩呈现，具有自发光、高对比度、低功耗等显著优势。
二、技术架构与关键组件
（一）像素结构
单个Micro LED像素由垂直结构的半导体发光层构成，典型结构包括P型半导体层、有源发光层（多量子阱MQW）和N型半导体层。通过外延生长技术在蓝宝石、硅或碳化硅衬底上形成微米级发光单元，经巨量转移工艺实现像素阵列化排布。
（二）驱动方式
主流驱动方案分为被动矩阵（PM）和主动矩阵（AM）两种：
· 被动矩阵：通过行列电极交叉寻址控制像素点亮，结构简单但刷新率受限，适用于小尺寸显示场景
· 主动矩阵：结合TFT（薄膜晶体管）或CMOS驱动电路，支持高分辨率动态显示，是大尺寸显示的主流技术路径
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