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一种无片外电容ldo线性稳压器设计
资料介绍
随着便携式电子产品的迅速发展,直流稳压芯片也越来越重要,低压差Qow D ropout LDO)线性稳压器由于具有输出稳定、电压纹波小等优点,得到了广泛的应用。而传统的LDO线性稳压器通常需要较大的片外电容,这会增加应用成本,本文针对传统LDO线性稳压器的缺点,设计了一种无片外电容的LDO线性稳压器。
首先设计一款折叠式共源共栅结构的运算放大器,基于所设计的运放,设计了三种基准电压源结构,分别为传统带隙基准电压源,二阶补偿带隙基准电压源和全Mos基准电压源。然后对这三种基准电压源进行仿真和比较,仿真结果表明,在三种基准电压源中,Mos结构基准电压源的性能是最好的,温度系数为0.58
ppmeC,线性调整率为1754VN,功耗为04mw.
基于所设计的MOs结构的基准电压源,本文设计了一种无片外电容LDO电路,采用密勒补偿电容对环路进行补偿,然后对其进行仿真。仿真结果表明:LDO线性稳压器工作电压可在-9~-15V之间变化,输出电压为8v,最大输出电流为200 mA,线性调整率为941 VN,负载调整率为0.42 VA,温度系数为7812
ppm/C,电源抑制比为-5436 dB,LDO电路的功耗为2.9 mw,瞬态过冲电压为230mv。所设计的LDO线性稳压器基本达到预先设定的指标。最后对整个电路进行版图设计,送交代工厂流片
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