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基于LDMOS器件的F类功率放大器设计
资料介绍
在射频功率放大器设计中，低失真与高效率是难以兼得的两项指标，设计者必须做出取舍，失真低就不得不舍弃效率，如果要求高效率那么失真就会相应增大。AB类放大器一般应用于对频谱效率有高要求的系统里，可以提供一定的线性度和效率。
本文给出了一种基于当今发展迅速的LDMOS器件的F类功放，通过输出端谐波控制可以在L频段同时做到高输出功率和高效率。谐波控制主要是利用四分之一波长传输线和一个串联的谐振电路。在设计中主要以高效率为主，线性度为次要。此种功放可以应用于对线性度没有特殊要求的通信系统中，同时配合其他线性化技术，例如Doherty技术或包络分离和恢复技术（EER），以满足具有复合调制信号的无线系统的特殊要求。
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| 基于LDMOS器件的F类功率放大器设计.pdf | 359K |
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资料：bitboy
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