积分商城

最新搜索： 人形机器人 原理图 负电源 明纬 PCIE转千兆网RTL8111H(S)芯片硬件参考设计 rtl8367s
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 通过Interposer或硅桥实现Die间高速互连技术研究
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

通过Interposer或硅桥实现Die间高速互连技术研究

更新时间：2026-04-15 11:27:56 大小：19K 上传用户：烟雨查看TA发布的资源 标签：interposerdie 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、引言

随着半导体技术进入后摩尔时代，传统"More Moore"路径面临物理极限，"More than Moore"战略成为延续摩尔定律的关键方向。其中，多芯片集成（MCM）、系统级封装（SiP）和芯片级封装（CoWoS）等先进封装技术通过将多个功能Die集成在单一封装体内，实现了性能提升与成本优化。Die间高速互连作为多芯片集成的核心挑战，直接影响系统带宽、功耗与延迟特性。Interposer（中介层）与硅桥（Silicon Bridge）技术凭借其高布线密度与信号完整性优势，成为当前主流的Die间互连解决方案。

二、Interposer技术原理与实现

（一）技术定义与分类

Interposer是一种位于封装基板与芯片Die之间的中介层结构，通过高密度布线实现多个Die的电气连接。根据材料特性可分为：

· 硅基Interposer：采用CMOS工艺制造，利用硅通孔（TSV）实现垂直互连，布线密度可达10^4-10^5 I/O/mm²

· 有机Interposer：基于BT树脂或PI材料，通过激光钻孔形成微导通孔（μVIA），成本较硅基低30%-50%

· 玻璃Interposer：具有低热膨胀系数（CTE≈3ppm/℃）和高绝缘性，适用于高频信号传输

（三）性能优势与挑战

硅基Interposer的核心优势在于：

1. 高布线密度：采用1μm以下线宽/线距，支持每平方毫米数千个互连点

2. 低信号损耗：硅材料介电常数（ε=11.7）匹配CMOS工艺，减少信号反射

3. thermal management：硅基板导热系数（149W/m·K）远高于有机基板（0.3W/m·K）

主要挑战包括：

· 成本高昂：TSV工艺使制造成本增加50%-100%

· 良率问题：TSV刻蚀与填充工艺良率需达到99.99%以上

· 热应力：硅与有机基板CTE失配（硅4ppm/℃ vs 有机15-20ppm/℃）导致可靠性风险


部分文件列表

文件名 大小
通过Interposer或硅桥实现Die间高速互连技术研究.docx 19K

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号