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IGBT选型

更新时间：2019-12-03 09:54:19 大小：846K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：igbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

对于给定的开关速度， NPT 技术通常比PT 技术具有较高的VCE(on)。这种差异被进一步

放大，因为NPT的VCE(on)随着温度的升高而升高（正温度系数） ，而PT 的VCE(on)随

温度的升高而降低（负温度系数） 。然而，对于任何的IGBT，无论是PT 或NPT，开关损

耗都是以VCE(on)作为代价的。更高速度的IGBT 具有较高的VCE(on);较低速度的IGBT

具有较低的VCE(on)。事实上，它可能是一个非常快的PT 装置拥有较高的VCE(on)，相

反，NPT装置的开关速度则较慢。

开关损耗

对于给定的VCE(on)，PT IGBTs 具有较高的高速开关功能与更低的总开关能量。这是

由于较高的增益和少子寿命减少，少子寿命减少结束了长尾电流。

坚固耐用

NPT IGBTs 通常是额定短路（ short circuit rated ）而PT 器件往往不是， NPT IGBTs

比PT IGBTs 可以吸收更多的雪崩能量。NPT 技术更坚固耐用，原因是更宽广的基极和

PNP双极型晶体管的低增益。这是NPT技术的主要优势，通过权衡开关速度而获得。要

使PT IGBT 的VCES大于600 伏是很困难的，而利用NPT的技术就很容易做到。先进的

电力技术也提供了一系列非常快的1200 伏PT IGBTs，如功率MOS 7yy'IGBT 系列。


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IGBT 基础教程：：第一部分------ 选选型型(( 中)  
作者： Jonathan Dodge  
P.E., Senior Applications Engineer  
John Hess  
Vice President, Marketing  
Microsemi's Advanced Power Technology  
传导损损耗耗  
对于给定的开关速度， NPT 技术通常比 PT 技术具有较高的 VCE(on)。这种差异被进一步  
放大，因为 NPT的 VCE(on)随着温度的升高而升高（正温度系数） ，而 PT 的 VCE(on)随  
温度的升高而降低（负温度系数） 。然而，对于任何的 IGBT，无论是 PT 或 NPT，开关损  
耗都是以 VCE(on)作为代价的。更高速度的  
IGBT 具有较高的 VCE(on);较低速度的 IGBT  
具有较低的 VCE(on)。事实上，它可能是一个非常快的  
反，NPT装置的开关速度则较慢。  
PT 装置拥有较高的 VCE(on)，相  
开关损耗  
对于给定的 VCE(on)，PT IGBTs 具有较高的高速开关功能与更低的总开关能量。 这是  
由于较高的增益和少子寿命减少，少子寿命减少结束了长尾电流。  
坚固耐用  
NPT IGBTs 通常是额定短路（ short circuit rated ）而  
比 PT IGBTs 可以吸收更多的雪崩能量。 NPT 技术更坚固耐用，原因是更宽广的基极和  
PNP双极型晶体管的低增益。这是 NPT技术的主要优势，通过权衡开关速度而获得。要  
使 PT IGBT 的 VCES大于 600 伏是很困难的，而利用 NPT的技术就很容易做到。先进的  
PT 器件往往不是， NPT IGBTs  
电力技术也提供了一系列非常快的  
1200 伏 PT IGBTs，如功率 MOS 7yy'IGBT 系列。  
温度的影响  
对于所有 PT和 NPTIGBTs，开启时的开关速度和损耗几乎不受温度的影响。但二极管的  
反向恢复电流随温度的增加而增加。因此在电源电路中，温度影响了表面二极管从而影  
响 IGBT 的开启损耗。对于 NPTIGBTs，在工作温度范围内，关断速度和开关损耗保持相  
对恒定。 对于 PT IGBTs，关断速度随温度的上升而减慢，开关损耗则随温度的上升而  
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