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IGBT驱动及逐波限流保护技术
资料介绍
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistors）是隔离栅极双极晶体管的缩写，它是新型电力电子器件的一个重要分支。IGBT于80年代初首先由东芝公司推出，80年代末、90年代初进入实用化，业内专家预测，2000年后IGBT将成为电力电子器件市场的主流产品。据wSTS预测，1998-2002年1GBT的年均增长率为20%，比同类分立器件的年均增长率高10%.IGBT实际上是一种高反压大电流的大功率模块，其耐压可达1500V以上，额定电流可达几百安培，如国际整流器公司推出的GA600GD25S型 IGBT，其额定电流为600A，并内置热敏电阻.IGBT汇集了MOS晶体管的电压激励和达林顿功率大的优点。
IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点.1GBT的优点在电源设备中得到体现，它在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用.IGBT使用比较广泛但作为一种较大功率器件，在瞬间大电流出现时会造成损坏现象。因而掌握好1GBT的驱动和保护特性是使用好它的关键，而采取逐波限流控制电路是防止IGBT过流损坏的较好方法。
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2019-12-03 21:28:52yty001
学习知识！谢谢分享。