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IGBT缓冲电路总结
资料介绍
其中， LS：主电路电感，主要是没有续流时的杂散电感； Upk ： CS 上的最大充电电压；
UC0：电源电压； Io：负载电流； fsw ：开关频率。
需要注意的是， 电容应该选择无感电容； 电阻要注意它的功耗， 应选择相应的功率电阻；
吸收模块的制作要注意绝缘。
缓冲二极管过渡时正向电压降减小是关断时尖峰电压产生的主要原因之一； 另外，缓冲
二极管逆向恢复时间直接影响到缓冲吸收电路的开关损耗。因此，应该选择过渡正向电压低，
逆向恢复时间短、逆向恢复特性较软的二极管， 缓冲吸收回路也应直接连接到IGBT 相应的
端子上。
串联栅极电阻Rg 也是相当重要的参数， IGBT 的开通和关断是通过栅极电路的充放电
来实现的， 因此栅极电阻值将对IGBT 的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻使栅极
电容的充放电较快，从而减小开关时间和开关损耗,同时增强了du/ dt 耐量，但与此同时，
它只能承受较小的栅极噪声， 并导致栅极—发射极电容,同栅极驱动导线的寄生电感产生振
荡问题。所以合理选用Rg 是很重要的， 在低频应用情况下， 开关损耗不成为一个重要问题，
可适当提高Rg 以保证潜在的振荡问题，一般来说IGBT 容量越大， Rg 选用越小。
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