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半导体制造工艺晶体的生长.ppt
资料介绍
导电类型：N型与P型都易制备；
电阻率：0.01-105·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）；
寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命；
晶格完整性：低位错（<1000个/cm2）；
纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质；
晶向：Si:双极器件--<111>；MOS--<100>；
直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。
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| 文件名 | 大小 |
| 半导体制造工艺晶体的生长.ppt | 8M |
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