积分商城

最新搜索： ORCAD库文件 tm1628 从零开始 微波雷达 充值 PWM
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析

更新时间：2020-10-22 03:54:34 大小：871K 上传用户：zhengdai查看TA发布的资源 标签：光电二极管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线，利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取，考察受损前后等效参数的变化规律。认为光电二极管在激光辐照受损后，其反向饱和电流会减小，等效串联电阻会增大，等效并联电阻会减小。随后，基于半导体物理理论，对这些参数变化的内在因素进行了定性分析。认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的，串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命减小共同引起的，并联电阻减小则是由半导体表面及内部的缺陷引起的。

Combined with particle swarm optimization （PSO） algorithm, the parameter of photodiode was extracted from I-V characteristics curve based on the equivalent circuit which was obtained before and after irradiation on Si photodiode. Then the experimental law of equivalent parameter before and after being damaged was acquired. When the photodiode was damaged, the reverse saturation current was decreased and the series resistance was increased, and the shunt resistance was decreased. The damage mechanism was given qualitatively based on semiconductor physics theory. The decrease of the reverse saturation current was on account of decrease in doping concentration. The increase of series resistance was due to the d...

部分文件列表

文件名 大小
基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析.pdf 871K

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号