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激光引信窄脉冲光源驱动电路设计（英文）
资料介绍
针对激光引信小型化和高性能的工作需求,设计了一种新型半导体激光器(LD)驱动电路。电路采用高速MOSFET作为开关器件,为激光器提供脉宽窄、上升时间短、峰值电流大的驱动脉冲。建立了相应的驱动电路模型,设计制作了尺寸为19 mm×10 mm的驱动电路,仿真和实验分析了供电电源、充电电容和阻尼电阻对驱动脉冲的影响。并根据仿真和实验结果选取最佳的电路参数,在此条件下驱动脉冲的脉宽为8.6 ns、前沿上升时间为4 ns、峰值电流为39 A。该电路为激光引信探测性能的提高提供参考。
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| 激光引信窄脉冲光源驱动电路设计（英文）.pdf | 445K |
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