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基于迟滞比较器的过温保护电路

更新时间：2020-07-13 06:35:45 大小：4M 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：迟滞比较器过温保护电路 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

为避免芯片因工作温度过高造成永久性损坏,以及确保芯片工作的可靠性和稳定性,设计了一种结构简单、可靠性高的新型过温保护电路。采用自偏置共源共栅结构,产生稳定的带隙基准,并利用正反馈迟滞比较器,有效避免热振荡。热关断温度及迟滞开启温度可通过调节比较器MOS管的尺寸来灵活设置。基于格罗方德55nm CMOS工艺,通过Cadence Spectre工具,对电路进行了仿真验证。电源电压在3.3V,温度范围在-40℃~125℃时,测得带隙基准的温度系数为8.23ppm/℃,低频段电源抑制比为-68.5dB;当温度超过116℃时,输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降低到96℃时,芯片恢复工作;设计电路有20℃的温度迟滞量,温度阈值的变化量小于2℃。

To ensure the reliability and stability of the chip and prevent the chip from overheating, a new type of temperature protection circuit with simple structure, high reliability is proposed in this paper. Using self-biased cascode structure to produce a stable bandgap reference and using positive feedback hysteresis comparator to avoid thermal oscillation. Thermal shutdown temperature and hysteresis opening temperature can be set flexibly with adjusting the size of the MOS transistor. Based on the Global foundries 55 nm CMOS process, the circuit was simulated with Spectre of Cadence. When the supply voltage is 3.3V and...

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