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基于铁基非晶薄带GMI效应的弱磁传感器研究
资料介绍
巨磁阻抗（简称GMI）效应的出现，使磁传感器在弱磁检测领域的小型化、高灵敏度、快速响应和低功耗方面成为可能，应用发展前景广阔。有鉴于此，本文设计了基于铁基非晶薄带GMI效应的弱磁传感器。 本文从巨磁阻抗效应原理入手，介绍了巨磁阻抗效应的两种分析方法，详细阐述了非晶薄带巨磁阻抗效应原理、影响因素及传感器的工作原理，通过对敏感元件特性的实验确定了传感器敏感元件的激励线圈匝数，激励频率和非晶薄带长度，进而设计了传感器的结构和实验系统，包括激励信号电路、检波电路、放大滤波电路、负反馈电路、偏置电路、单片机数据采集处理电路、数据传输电路、数据存储显示电路，并编写了相应的软件程序，同时进行了软硬件抗干扰设计，最终完成了系统调试和传感器静态标定，并给出了传感器的静态特性。 实验结果表明：本传感器系统能够检测-210uT至210uT范围内的静态弱磁场，且具有较好的线性度，灵敏度和重复性，达到了预定的技术指标。
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