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Fujitsu/Transphorm GaN HEMT Product Introduction and Applications
资料介绍
fujutsu,ganGaN
以前采用的是硅MOSFET开关管，对于65W以下应用没有问题。但若想提高功率输出，则需要用GaN开关管来代替。GaN等宽禁带器件适合高温应用，可以提高开关频率，使开关损耗（即开关期间电压和电流交叠部分）变小。其单位面积的RDS(ON)更小，因此也可使导通损耗（I2R）变小。这样InnoSwitch3的功率输出就可以拓展到最大100W的水平（敞开式）
采用PowiGaN的InnoSwitch3只是把开关管替换成了GaN器件。频率不变，仍为100kHz。那么，既然GaN能够耐高温又能高频操作，为什么不工作在200或300kHz呢？阎金光解释说，如果增加工作频率，则开关损耗反而会增大。这样就会丧失GaN所带来的一些优势。你可能认为，开关频率增大可以使变压器做小，从而使电源的整个设计缩小。但真是如此吗？事实上，如果把开关频率做高，EMI就会增大，这样就要增加滤波元件，因此电源不见得能够做小。PI认为这里有个最佳平衡点，可以平衡电源体积和成本以及效率，因此并不主张工作在300k甚至400k
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| Fujitsu&Transphorm_GaN_Product_Introduction_and_Applications.pdf | 3M |
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