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Fujitsu/Transphorm GaN HEMT Product Introduction and Applications

更新时间:2020-08-04 17:13:35 大小:3M 上传用户:dullheadpower查看TA发布的资源 标签:fujutsuGaN 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

fujutsu,ganGaN

以前采用的是硅MOSFET开关管,对于65W以下应用没有问题。但若想提高功率输出,则需要用GaN开关管来代替。GaN等宽禁带器件适合高温应用,可以提高开关频率,使开关损耗(即开关期间电压和电流交叠部分)变小。其单位面积的RDS(ON)更小,因此也可使导通损耗(I2R)变小。这样InnoSwitch3的功率输出就可以拓展到最大100W的水平(敞开式)

采用PowiGaN的InnoSwitch3只是把开关管替换成了GaN器件。频率不变,仍为100kHz。那么,既然GaN能够耐高温又能高频操作,为什么不工作在200或300kHz呢?阎金光解释说,如果增加工作频率,则开关损耗反而会增大。这样就会丧失GaN所带来的一些优势。你可能认为,开关频率增大可以使变压器做小,从而使电源的整个设计缩小。但真是如此吗?事实上,如果把开关频率做高,EMI就会增大,这样就要增加滤波元件,因此电源不见得能够做小。PI认为这里有个最佳平衡点,可以平衡电源体积和成本以及效率,因此并不主张工作在300k甚至400k

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