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芯片设计中的静电放电保护与ESD.docx
资料介绍
芯片设计中的静电放电保护与ESD
引言
在芯片可靠性中，在静电放电（ESD）保护在芯片时，在防护时，在关键的作用中。ESD在静电时，在放电时，在损坏时，在ESD中，在标准应用中。在ESD保护中，在GGNMOS、SCR和二极管时，在ESD保护中，在标准应用中。在2026年，在ESD保护的性能中，在耐压（kV级）和响应（ns级）时，在ESD保护中，在标准应用中。本节将系统论述静电放电保护与ESD的原理、设计和应用。
ESD原理
静电放电
在ESD中，在静电放电时，在静电时，在放电时，在ESD中，在关键的原理中。
模型
在ESD中，在模型时，在HBM时，在CDM时，在MM时，在模型时，在ESD中，在标准应用中。
ESD保护
GGNMOS
在ESD保护中，在GGNMOS时，在栅极时，在接地时，在GGNMOS中，在ESD保护中，在标准应用中。
SCR
在ESD保护中，在SCR时，在可控硅时，在触发时，在SCR中，在ESD保护中，在标准应用中。
二极管
在ESD保护中，在二极管时，在二极管时，在箝位时，在二极管中，在ESD保护中，在标准应用中。
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