- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中ESD保护电路设计从I-O到核心电路.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中ESD保护电路设计从I/O到核心电路
——从片内ESD网络到全芯片保护的可靠性方案
引言
静电放电（ESD）是存算一体芯片面临的主要可靠性威胁之一。在存算一体芯片中，模拟计算阵列的ESD保护设计面临独特的挑战：模拟电路对寄生电容敏感，ESD保护器件的寄生电容可能影响模拟电路的精度和带宽；存算一体阵列的I/O数量多，需要大量的ESD保护器件。从I/O引脚到核心电路，ESD保护网络需要覆盖芯片的所有端口，确保芯片在ESD事件中不受损伤。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中ESD保护电路设计，从I/O到核心电路的保护方案。
ESD事件与失效机理
ESD模型
存算一体芯片面临的ESD事件模型：
1. 人体模型：通过1.5kΩ电阻和100pF电容放电，峰值电流约1.3A（2kV HBM），上升时间约2ns至10ns。
2. 充电器件模型：芯片自身带电后通过引脚放电，峰值电流可达10A至20A，上升时间小于0.5ns。
3. 机器模型：通过0Ω电阻和200pF电容放电，峰值电流约4A（200V MM），上升时间约5ns至10ns。
ESD失效机理
ESD事件在存算一体芯片中引起的失效：
1. 栅氧化层击穿：ESD高压导致晶体管栅氧化层的电场强度超过击穿阈值，造成永久性击穿。
2. 结烧毁：ESD大电流在PN结处产生局部高温，导致结烧毁。
3. 金属熔融：ESD大电流在金属互连中产生焦耳热，导致金属熔融和开路。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 面向存算一体芯片的模拟计算阵列中ESD保护电路设计从I-O到核心电路.docx | 39K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：他山之石可攻玉
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：w993263495
-
21下载积分 打赏10.00元 3天前
用户：烟雨
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21下载积分 打赏70.00元 3天前
用户：铁蛋锅
-
21下载积分 打赏65.00元 3天前
用户：xzxbybd
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：jh0355
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：w178191520
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：jh03551
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：pcb
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：bhacker
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：有理想666
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：godbox
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：aetek
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：JuneLin61
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：ccc6188
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：木集盒
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏8.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
全部评论(0)