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EPROM可擦除可编程只读存储器原理
资料介绍
基本定义
EPROM全称是Erasable Programmable Read-Only Memory，中文译为可擦除可编程只读存储器，是一种早期的半导体存储芯片，属于ROM（只读存储器）的衍生类型，核心特点在于可以重复擦除原有存储数据，重新写入新的程序或数据，解决了传统一次性可编程ROM（PROM）只能写入一次的缺陷。
核心特点
1. 可重复擦写：不同于普通掩膜ROM出厂时数据就固定完成，也不同于一次编程的PROM，EPROM允许开发者多次修改存储内容，适合产品原型开发阶段的程序调试。
2. 非易失性存储：断电后存储的数据不会丢失，和所有ROM类存储器一致，可长期保存程序和固定数据。
3. 特殊擦除方式：最常见的紫外线擦除型EPROM需要通过紫外线照射芯片的石英窗口，激发浮栅上的电荷泄漏完成擦除，擦除后才能重新编程写入。还有一类EEPROM（电可擦除可编程ROM）是EPROM的改进分支，现在很多分类会将其单独列出。
结构原理
EPROM的基本存储单元采用浮栅晶体管结构：
· 核心是一个堆叠栅极的MOS管，分为控制栅和浮栅，浮栅被二氧化硅绝缘层包裹，正常状态下浮栅的电荷无法泄漏，因此可以长期保持存储状态。
· 编程过程：通过给控制栅施加较高的编程电压，让电子隧穿进入浮栅，浮栅带负电荷后会改变MOS管的阈值电压，以此对应存储的0和1两种状态。
· 擦除过程：紫外线的高能光子照射穿过石英窗口，被二氧化硅层中的电子吸收，让电子获得足够能量逃逸出浮栅，浮栅回到不带电的初始状态，完成整个芯片的数据擦除。
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| EPROM可擦除可编程只读存储器原理.docx | 14K |
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