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EMI抗干扰和ESD保护问题
资料介绍
ESD 和 EMI 防护设计的新挑战
传统的 ESD 保护或 EMI 滤波功能是由分立或无源器件解决方案占主导地位，例如，防护
ESD 的变阻器或防护 EMI 的基于串联电阻和并联电容器的 PI 型滤波结构。 手机质量标准
的提高和新型 IC 的高 EMI 敏感度促使设计人员必须提高手机的抗干扰能力，因此某些方
案的技术局限性已显露出来了。
简单比较变阻器和 TVS 二极管的钳位电压 Vcl ， 就可以理解传统解决方案的局限性。 变阻
器的钳位电压 Vcl(8/20ms@Ipp=10A 测试 )显示大约 40V ，比 TVS 二极管的 Vcl 测量值高
60% 。当必须实施 IEC 61000-4-2 标准时，要想实现整体系统的稳健性就不能怱视这种差
别。除这个内在的电压差问题外，在手机使用寿命期内，随着老化现象的出现，无源器件
解决方案还暴露出电气特性变化的问题。
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| EMI抗干扰和ESD保护问题.pdf | 688K |
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