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EMI抗干扰和ESD保护问题

更新时间:2019-04-10 09:43:15 大小:688K 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:emi抗干扰esd保护 下载积分:1分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

ESD EMI 防护设计的新挑战
传统的
ESD 保护或 EMI 滤波功能是由分立或无源器件解决方案占主导地位,例如,防护
ESD 的变阻器或防护 EMI 的基于串联电阻和并联电容器的 PI 型滤波结构。 手机质量标准
的提高和新型
IC 的高 EMI 敏感度促使设计人员必须提高手机的抗干扰能力,因此某些方
案的技术局限性已显露出来了。
简单比较变阻器和
TVS 二极管的钳位电压 Vcl , 就可以理解传统解决方案的局限性。 变阻
器的钳位电压
Vcl(8/20ms@Ipp=10A 测试 )显示大约 40V ,比 TVS 二极管的 Vcl 测量值高
60% 。当必须实施 IEC 61000-4-2 标准时,要想实现整体系统的稳健性就不能怱视这种差
别。除这个内在的电压差问题外,在手机使用寿命期内,随着老化现象的出现,无源器件
解决方案还暴露出电气特性变化的问题。

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