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封装级电磁屏蔽与射频干扰隔离设计.docx
资料介绍
封装级电磁屏蔽与射频干扰隔离设计
一、引言
封装级电磁屏蔽设计在先进封装中日益重要，随着多芯片集成密度的提高和芯片工作频率的升高，芯片之间的电磁干扰问题日益严重。射频干扰隔离设计确保射频芯片在封装内部不受数字芯片开关噪声的干扰，保证射频性能。
二、封装级电磁干扰的来源
2.1 数字芯片的开关噪声
数字芯片在时钟沿切换时产生大量高频噪声，通过电源分配网络和衬底耦合到封装的各个部分。
2.2 射频芯片的自干扰
射频芯片的功率放大器输出信号通过封装互连耦合到接收链路，形成自干扰。
2.3 外部电磁干扰
封装外部的电磁场通过封装表面和互连耦合到芯片内部。
三、封装级电磁屏蔽技术
3.1 金属屏蔽罩
在封装表面或内部制作金属屏蔽罩，将敏感电路或辐射源包围在屏蔽罩内。屏蔽罩通常使用铜或不锈钢材料，通过导电胶粘接或焊接固定在封装基板上。
3.2 模塑屏蔽
在塑封料表面喷涂导电涂层，形成屏蔽层。模塑屏蔽的工艺简单，成本低，适用于对屏蔽要求不高的应用。
3.3 封装内屏蔽
在封装基板内部嵌入屏蔽层，在芯片之间制作隔离墙，阻止芯片之间的电磁耦合。
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