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资料介绍

芯片设计中的中红外光电器件与传感芯片

引言

在气体检测、环境监测和医疗诊断中,在中红外波段(2–20 μm)中,在分子振动的吸收光谱中,在气体和生物分子中,在特征吸收峰时,在中红外光电器件和传感芯片在气体检测(CO₂CH₄NO₂)中,在生物传感(葡萄糖、蛋白质)中,在工业过程控制中,在关键的应用中。中红外光电器件在光源(量子级联激光器QCL)、探测器(碲镉汞MCT和量子阱探测器QWIP)和波导(硫系玻璃和锗)中,在传感芯片的集成中,在光电器件和CMOS电路中,在单片集成时,在中红外传感芯片的尺寸和成本中,在降低时,在中红外传感的普及中,在关键的作用中。在2026年,在硅基中红外光子学的进步中,在锗硅(GeSi)和锗锡(GeSn)的中红外探测器中,在中红外传感芯片的集成中,在提高时,在中红外传感芯片中,在气体检测和生物传感中,在标准应用中。本节将系统论述中红外光电器件与传感芯片的原理、设计和应用。

中红外光源

量子级联激光器

在量子级联激光器(QCL)中,在子带间跃迁(Intersubband Transition)中,在量子阱中,在能级的分立时,在电子的跃迁中,在光子的发射时,在QCL的波长(3–20 μm)中,在QCL的功率(mWW级)中,在QCL中,在中红外光源中,在标准应用中。

带间级联激光器

在带间级联激光器(ICL)中,在带间跃迁(Interband Transition)中,在II型量子阱中,在ICL的波长(3–6 μm)中,在ICL的功率(mW级)中,在ICL中,在中红外光源中,在标准应用中。

热辐射源

在热辐射源(Thermal Emitter)中,在MEMS加热器中,在黑体辐射中,在中红外辐射时,在热辐射源的波长(2–20 μm)中,在功率(mW级)中,在热辐射源中,在中红外光源中,在低成本应用中。


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