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芯片设计中的射频能量收集整流器效率优化.docx
资料介绍
芯片设计中的射频能量收集整流器效率优化
引言
在射频能量收集(RF Energy Harvesting)中,在整流器(Rectifier)在射频信号时,在直流时,在转换时,在整流器的效率在能量收集系统的性能中,在关键的影响时,在整流器的效率优化中,在射频能量收集中,在关键的作用中。在整流器的效率中,在输入功率(–30到–10 dBm)中,在整流器的拓扑(Dickson倍压器、交叉耦合整流器)中,在整流器的效率(30%–70%)中,在整流器的效率优化中,在射频能量收集中,在标准应用中。在2026年,在整流器的效率(60%–80% @ –20 dBm)中,在整流器的阈值电压补偿中,在自适应体偏置中,在整流器的效率优化中,在射频能量收集中,在标准应用中。本节将系统论述射频能量收集整流器效率优化的原理、设计和应用。
整流器拓扑
Dickson倍压器
在Dickson倍压器(Dickson Multiplier)中,在二极管和电容的级联中,在射频信号时,在直流时,在转换时,在Dickson倍压器的输出V_out = N·V_in时,在N的级数中,在Dickson倍压器中,在射频能量收集中,在标准应用中。
交叉耦合整流器
在交叉耦合整流器(Cross-Coupled Rectifier)中,在NMOS和PMOS的交叉耦合中,在差分信号时,在整流时,在交叉耦合整流器的效率中,在Dickson倍压器的高出时,在交叉耦合整流器中,在射频能量收集中,在标准应用中。
自偏置整流器
在自偏置整流器(Self-Biased Rectifier)中,在MOS管的偏置时,在阈值电压时,在补偿时,在自偏置整流器的效率中,在弱信号时,在提高时,在自偏置整流器中,在射频能量收集中,在标准应用中。
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