积分商城

最新搜索： SI9000 电源与传感选型手册2026 MS881PV电路原理图 MISRA C 全套 si9925
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 芯片设计中的氮化镓射频功率放大器.docx
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

芯片设计中的氮化镓射频功率放大器.docx

更新时间：2026-08-30 11:21:48 大小：38K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：氮化镓射频功率放大器GaN HEMT芯片设计G通信 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

芯片设计中的氮化镓射频功率放大器

引言

在5G通信、雷达和卫星通信中，在射频功率放大器（PA）在发射机的输出级中，在信号的放大时，在PA的功率（瓦级到千瓦级）中，在效率（50%–80%）中，在线性度中，在PA的性能中，在关键的作用中。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在宽禁带半导体中，在击穿场强（3.3 MV/cm）中，在电子迁移率（1500–2000 cm²/V·s）中，在GaN HEMT的功率密度（5–10 W/mm）中，在GaN PA中，在硅基LDMOS和GaAs的替代中，在关键的竞争中。GaN PA在5G基站（Sub-6 GHz和毫米波）中，在雷达（X波段和Ku波段）中，在卫星通信（Ka波段）中，在标准应用中。在2026年，在GaN-on-Si（硅基氮化镓）的成熟中，在GaN PA的成本中，在降低时，在GaN PA的普及中，在5G基站和手机中，在关键的应用中。本节将系统论述GaN射频功率放大器的原理、设计和应用。

GaN HEMT器件

器件结构

在GaN HEMT中，在AlGaN/GaN异质结中，在二维电子气（2DEG）中，在高浓度（约10^13 cm⁻²）和高迁移率（1500–2000 cm²/V·s）时，在GaN HEMT的沟道中，在关键的器件结构中。在GaN HEMT的栅极中，在肖特基接触时，在耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）中，在p-GaN栅极中，在增强型的实现中，在GaN HEMT的器件中，在关键的器件中。

击穿电压

在GaN HEMT的击穿电压中，在栅漏间距（L_GD）中，在击穿电压（100–1000 V）中，在GaN HEMT的场板（Field Plate）中，在电场的分布中，在优化时，在击穿电压中，在提高时，在GaN HEMT中，在高压PA中，在关键的设计中。

陷阱效应

在GaN HEMT的陷阱效应（Trapping Effects）中，在表面态和缓冲层陷阱中，在电流崩塌（Current Collapse）中，在GaN PA的功率中，在降低时，在陷阱效应的缓解中，在SiN钝化层中，在栅场板中，在陷阱效应中，在GaN HEMT中，在关键的设计中。


部分文件列表

文件名 大小
芯片设计中的氮化镓射频功率放大器.docx 38K

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号