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面向存储芯片的先进封装中嵌入式桥接芯片在超高密度互连中的应用.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中嵌入式桥接芯片在超高密度互连中的应用
——从硅桥到嵌入式多芯片互连桥的封装互连方案
引言
嵌入式桥接芯片是存储芯片先进封装中实现超高密度互连的关键技术。在HBM与CPU/GPU的集成中，以及Chiplet之间的互连中，嵌入式桥接芯片通过在封装基板中嵌入高密度互连桥，实现芯片之间的超高密度互连。Intel的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）是嵌入式桥接芯片的代表性技术，通过将硅桥嵌入封装基板中，在局部区域提供高密度互连。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中嵌入式桥接芯片在超高密度互连中的应用。
嵌入式桥接芯片的基本原理
桥接芯片结构
嵌入式桥接芯片的结构和特点：
1. 硅桥：硅桥是一块无源硅中介层，在硅衬底上制作高密度互连层，互连线宽和间距在亚微米级。
2. 嵌入方式：硅桥嵌入在封装基板中，通过微凸块与芯片连接，通过基板布线与其他芯片连接。
3. 尺寸：硅桥的尺寸较小，通常为几毫米到十几毫米，只在需要高密度互连的区域嵌入。
桥接芯片的优势
嵌入式桥接芯片相比传统封装的优势：
1. 局部高密度互连：嵌入式桥接芯片在局部区域提供高密度互连，互连线宽和间距可达0.5μm至2μm。
2. 低成本：嵌入式桥接芯片的尺寸小，制造成本低于硅中介层，在需要局部高密度互连的场景中，成本优势明显。
3. 灵活性：嵌入式桥接芯片的尺寸和位置可定制，适应不同的芯片布局和互连需求。
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