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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存储芯片技术知识体系总结与未来展望.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存储芯片技术知识体系总结与未来展望
——从第1篇到第900篇的存储芯片技术全景回顾
引言
从第1篇到第900篇，我们系统覆盖了存储芯片技术的完整知识体系。从器件物理到系统架构，从制造工艺到封装测试，从电路设计到编译器优化，从AI存储系统到存算一体芯片，从产业生态到商业模式，本系列文档构建了存储芯片技术的全景图。本文系统总结面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存储芯片技术知识体系，并对未来技术发展进行展望。
知识体系总览
器件物理
存储芯片器件物理的知识体系：
1. DRAM器件：1T1C存储单元、深槽电容、感测放大器、行解码器、列选通。
2. NAND闪存器件：浮栅单元、电荷俘获单元、垂直通道、3D堆叠、QLC/PLC。
3. 新型存储器件：ReRAM、PCM、MRAM、FeRAM、STT-MRAM、SOT-MRAM。
4. 先进晶体管：FinFET、GAAFET、CFET、IGZO TFT。
制造工艺
存储芯片制造工艺的知识体系：
1. 光刻技术：EUV光刻、High-NA EUV、多重图形化、纳米压印光刻。
2. 刻蚀技术：RIE、DRIE、ALE、低温刻蚀、脉冲刻蚀。
3. 沉积技术：PECVD、ALD、PEALD、空间ALD、选择性ALD。
4. 平坦化技术：CMP、Si-CMP、Cu-CMP、STI-CMP。
5. 掺杂技术：离子注入、等离子体注入、固相扩散、激光退火。
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