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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中技术路线图与产业生态发展展望.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中技术路线图与产业生态发展展望
——从器件创新到系统集成的存算一体芯片十年发展路径
引言
存算一体芯片作为打破冯·诺依曼瓶颈的关键技术路线，在AI推理和边缘计算中展现出巨大的潜力。从器件创新到系统集成，存算一体芯片的技术路线图涵盖了存储器件、模拟电路、数字处理器、编译器和封装等多个技术层面。在产业生态方面，从IP供应商到晶圆厂，从设计工具到测试设备，存算一体芯片的产业链正在逐步完善。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中技术路线图与产业生态发展展望。
器件技术路线图
存储器件
存算一体芯片中存储器件的发展路线：
1. SRAM：在先进工艺节点中，SRAM的单元面积持续缩小，SRAM-CiM在2026年至2028年实现量产，支持INT8精度的模拟MAC计算。
2. ReRAM：ReRAM的存储密度和耐久性持续提升，3D ReRAM在2028年至2030年实现量产，堆叠层数达到16层至32层。
3. MRAM：STT-MRAM的存储密度提升至Gb级，SOT-MRAM在2028年至2030年实现产业化，翻转速度低于1ns。
4. PCM：PCM的多比特存储技术成熟，4比特/单元在2027年至2028年实现量产，存储密度达到Gb级。
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