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光芯片的凸点制备技术与电镀工艺.docx
资料介绍
光芯片的凸点制备技术与电镀工艺
引言
凸点制备是倒装焊封装中的关键工艺，通过在芯片电极上制作焊料凸点或铜柱凸点，实现芯片与基板的电气互连。2026年，光芯片的凸点制备技术正从焊料凸点向铜柱凸点方向发展，凸点间距从50μm缩小至30μm以下，凸点高度均匀性控制在±5%以内。电镀工艺是凸点制备的主流方法，通过光刻和电镀在芯片的电极上制作凸点，凸点的尺寸和形状可通过光刻胶和电镀参数精确控制。
凸点类型
焊料凸点
焊料凸点通过电镀或印刷在芯片电极上制作焊料，回流焊后形成球状凸点。焊料凸点的材料包括SnAgCu、AuSn和InSn等。
凸点制备是倒装焊封装的核心工艺，在光芯片的倒装焊中，凸点的间距和高度均匀性决定了互连的质量。铜柱凸点因其更小的间距和更好的散热性能，在高速光芯片中正逐步替代焊料凸点。
铜柱凸点
铜柱凸点通过电镀制作铜柱，在铜柱顶部涂覆焊料，回流焊后形成铜柱-焊料复合凸点。铜柱凸点的间距更小，导电性和导热性更好。
电镀工艺
工艺步骤
1. 光刻胶涂覆：在芯片表面涂覆光刻胶，通过光刻定义凸点的位置
2. 种子层沉积：在芯片表面沉积Ti/Cu种子层
3. 电镀：在光刻胶开口中电镀铜柱或焊料
4. 光刻胶去除：去除光刻胶，暴露凸点
5. 种子层刻蚀：去除凸点之间的种子层
凸点高度均匀性
工艺控制
凸点高度均匀性是影响倒装焊质量的关键因素，通过优化电镀参数和光刻胶工艺，可将凸点高度均匀性控制在±5%以内。
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