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现代电子技术核心术语汇总
资料介绍
核心基础概念类
半导体器件术语
· PN结（PN Junction）：半导体中P型半导体与N型半导体接触形成的交界区域，是二极管、三极管等多数半导体器件的核心结构，具有单向导电性，是现代电子器件工作的物理基础。
· 掺杂（Doping）：在本征半导体中掺入微量杂质元素，改变半导体导电性能的工艺，分为N型掺杂（掺入施主杂质，提升自由电子浓度）和P型掺杂（掺入受主杂质，提升空穴浓度），是制造半导体器件的核心工艺步骤。
· MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）：现代集成电路中应用最广泛的场效应晶体管，由金属栅极、氧化物绝缘层、半导体衬底构成，通过栅极电压控制沟道导电能力，具有功耗低、集成度高的优势，是CPU、存储器等芯片的核心单元。
· FinFET（鳍式场效应晶体管）：一种三维结构的MOSFET，将沟道做成类似鱼鳍的凸起结构，栅极从三个方向包裹沟道，有效抑制短沟道效应，是16nm及以下先进制程芯片的主流器件结构。
集成电路基础术语
· 摩尔定律（Moore's Law）：由英特尔创始人戈登·摩尔提出的经验规律，内容为集成电路上可容纳的晶体管数量每18-24个月翻一倍，性能也随之提升一倍，指引了半导体行业近半个世纪的发展方向。
· 制程节点（Process Node）：表征集成电路工艺精度的参数，传统上以晶体管栅极的最小线宽表示，单位通常为纳米（nm），目前主流量产制程为7nm、5nm，最先进已经演进到3nm，制程节点越小，相同面积芯片可集成的晶体管数量越多，性能越强、功耗越低。
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