积分商城

最新搜索： 《供配电系统设计规范》 GB50052 GOOUUU-ESP32开发全套资料合集 guider ssd1315 路径规划 数字电源
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 后通孔工艺技术研究
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

后通孔工艺技术研究

更新时间：2026-04-17 20:27:54 大小：16K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：后通孔工艺 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、工艺定义与技术定位

后通孔（Via-Last）工艺是三维集成电路（3D IC）制造中的关键互连技术，其核心特征是在完成晶圆级器件制造和减薄工艺后，通过刻蚀和填充工艺形成垂直互连通道（TSV，Through-Silicon Via）。该技术与Via-First（先通孔）、Via-Middle（中通孔）共同构成三大TSV制造路线，具有工艺兼容性高、对器件损伤小等显著优势，特别适用于逻辑芯片与存储芯片的3D集成场景。

二、工艺流程详解

（一）晶圆预处理阶段

· 器件晶圆制造：完成CMOS等有源器件的全流程工艺，包括浅沟槽隔离（STI）、栅极堆叠、源漏极注入及金属互连层（通常至M1-M3层）

· 背面减薄：采用机械研磨（Grinding）+化学机械抛光（CMP）将晶圆厚度减薄至50-100μm，确保TSV深宽比控制在5:1以内

· 背面氧化：生长50-100nm二氧化硅绝缘层，作为TSV电学隔离层

（二）TSV刻蚀工艺

· 光刻定义：使用深紫外（DUV）光刻技术形成TSV图形，线宽通常为5-20μm

· 深硅刻蚀：采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀，典型工艺参数：SF6/O2气体比例3:1，刻蚀速率1-2μm/min，垂直度控制在±1°以内

· 去胶与清洗：采用O2等离子体灰化去除光刻胶，SC1/SC2标准清洗液去除刻蚀残留物


部分文件列表

文件名 大小
后通孔工艺技术研究.docx 16K

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号