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堆叠芯片级封装
资料介绍
堆叠芯片级封装（Stacked Chip Scale Package，简称Stacked CSP）是一种先进的半导体封装技术，通过将多颗芯片垂直堆叠并实现电气互联，在最小化封装尺寸的同时显著提升系统集成度。该技术广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间和性能要求严苛的领域，是摩尔定律放缓背景下延续电子设备性能提升的关键技术路径之一。
一、技术原理与结构特点
1.1 基本结构组成
Stacked CSP通常由以下核心部分构成：
· 芯片堆叠层：2-8颗裸芯片（Die）通过倒装焊（Flip Chip）或引线键合（Wire Bonding）方式垂直堆叠，常见组合包括逻辑芯片+存储芯片（如AP+DRAM）、多颗存储芯片堆叠（如NAND Flash多层堆叠）
· 互联系统：采用硅通孔（TSV）、微凸点（Micro Bump）或铜柱（Copper Pillar）实现层间电气连接，其中TSV技术可实现高密度垂直互联，连接密度可达10^4-10^5/cm²
· 封装基板：采用BT树脂或ABF（Ajinomoto Build-up Film）材料，通过重新分布层（RDL）实现芯片与外部引脚的信号传输
· 底部填充与包封材料：使用环氧树脂类材料填充芯片间隙，提高机械强度和散热性能
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