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先进封装技术
资料介绍
随着半导体行业进入后摩尔时代，以CoWoS、InFO、2.5D/3D集成等为代表的先进封装技术成为延续摩尔定律的关键路径。这些技术通过改变芯片的物理结构和互联方式，在提升性能、降低功耗的同时，有效解决了传统平面工艺面临的物理极限挑战。
一、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技术
1.1 技术原理
CoWoS是台积电推出的晶圆级系统集成技术，采用"芯片-晶圆-基板"的三层架构。其核心流程包括：在硅晶圆上完成逻辑芯片与高带宽存储器（HBM）的集成，再通过倒装焊技术与有机基板结合，形成多芯片系统。该技术利用硅中介层（Silicon Interposer）实现高密度互联，线宽/线距可达到1-2μm，远优于传统有机基板的20μm水平。
1.2 技术优势
· 超高互联密度：硅中介层提供每平方毫米超过10万个互联点，支持芯片间TB级带宽传输
· 异构集成能力：可同时集成逻辑芯片、HBM、射频芯片等不同工艺节点的器件
· 热管理优化：硅中介层具备良好导热性，配合散热设计可支持300W以上功耗芯片
1.3 应用场景
主要应用于高性能计算领域，如NVIDIA H100 GPU采用CoWoS工艺实现5颗HBM3与GPU核心的集成，显存带宽达到5.3TB/s。此外，AI加速芯片、高端网络处理器也广泛采用该技术。
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