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刻蚀技术概述
资料介绍
刻蚀（Etching）是微电子制造、半导体加工及微纳加工领域中的关键工艺，通过化学或物理方法有选择性地去除材料表面特定区域，以形成具有精确图案的微结构。该技术广泛应用于集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、显示面板、光电子器件等领域，是实现器件微型化和高性能化的核心步骤之一。
一、刻蚀技术的分类
1.1 按作用机理分类
（1）湿法刻蚀（Wet Etching）
通过将待刻蚀材料浸入化学溶液（刻蚀液）中，利用化学反应溶解目标材料，实现图案转移。其特点包括：
· 各向同性刻蚀：刻蚀速率在材料各个方向均匀，易产生侧向腐蚀（Undercut），精度较低，适用于对图形分辨率要求不高的场景。
· 工艺简单：设备成本低，操作便捷，常用于Si、SiO₂、Al等材料的粗加工。
· 典型刻蚀液：如氢氟酸（HF）刻蚀SiO₂，硝酸与氢氟酸混合液（HNO₃/HF）刻蚀单晶硅，磷酸（H₃PO₄）刻蚀铝等。
（2）干法刻蚀（Dry Etching）
利用等离子体、离子束或激光等物理/化学作用去除材料，具有各向异性刻蚀能力，是超大规模集成电路（VLSI）制造的主流技术。主要类型包括：
等离子体刻蚀（Plasma Etching）：通过射频（RF）放电产生等离子体，活性粒子（如自由基、离子）与材料表面发生化学反应或物理轰击，实现选择性刻蚀。
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