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DLT1010.2-2006 高压静止无功补偿装置 第二部分.晶闸管阀的试验

更新时间:2023-09-21 20:57:22 大小:441K 上传用户:xuzhen1查看TA发布的资源 标签:晶闸管阀 下载积分:3分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本标准是“高压静止无功补偿装置”系列标准中第 2 部分,该系列标准共分为 5 个部分: —— 第 1 部分:系统设计 —— 第 2 部分:晶闸管阀的试验 —— 第 3 部分:控制系统 —— 第 4 部分:现场试验 —— 第 5 部分:密闭式水冷却装置 本标准主要参照采用了国际电工委员会(IEC)标准 IEC 61954《Power electronic for electrical transmission and distribution systems- Testing of thyristor valves for static VAR compensators》和国标 GB/T ××××-200×《输配电系统的电力电子技术-静止无功补偿器用晶闸管阀的试验》的内容,并总结多年来 的实际工程经验编写而成,对其中只规定了范围的数据,给出具体量值。 本标准由中国电力企业联合会提出。 本标准由中国电力企业联合会归口。 范围 本标准规定了6kV~66(63)kV电压等级的静止无功补偿装置(SVC)的晶闸管阀试验.这些晶闸管阀适用于输配电系统用静止无功补偿器(SVC)的组成部分即晶闸管控制电抗器(TCR)、晶闸管投切电抗器(TSR)和晶闸管投切电容器(TSC). 本标准所涉及的内容包括晶闸管阀的高压部分、晶闸管级和它的均压吸收电路、触发用电源和阀控制及保护等有关部分. 本标准主要应用于单个阀单元(单相),也适用于多重阀单元(多相),低压阀试验可参照此标准。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB311.1-1997高压输变电设备的绝缘配合(IEC71-1-1993,NEQ) GB/T311.2-2002绝缘配合 第 2 部分:高压输变电设备的绝缘配合使用导则 (IEC 60071-2-1996,EQV) GB/T7354-2003局部放电测量(IEC60270-2000,IDT) GB/T16927.1-1997高电压试验技术 第一部分:一般试验要求(IEC60-1-1989,EQV)GB/T16927.2-1997高电压试验技术 第二部分:测量系统(IEC 60-2-1994,EQV)GB/Txxxx.1-200x高压直流输电晶闸管阀 第一部分:电气试验 (IEC 60700-1-1998,EQV) GB/Txxxx-200x输配电系统的电力电子技术-静止无功补偿器用晶闸管阀的试验 IEC 60071-3-1998绝缘配合 第三部分:相间绝缘配合、原理、规则和应用 导则 IEC 61954-2003 Power electronic for electrical transmission and distribution systems- Testing of thyristor valves for static VAR compensators 3 术语 本标准采用了下列术语 3.1 晶闸管级 thyristor level晶闸管阀的组成部分,由一对反并联的晶闸管(或晶闸管和二极管反并联)构成,包括辅助电路(触发、保护、均压、阻尼元件等)。 3.2 晶闸管阀(TV) thyristor valve晶闸管级的电气和机械联合体,配有连接、辅助部件和机械结构,它可与SVC每相的电抗器或电容器相串联. 3.3阀结构valve structure将阀与地电位或阀与阀之间的绝缘保持在适当的水平上的机械结构。 由数个品闸管和其它组件构成的电气组合,能用于试验。它呈现与完整阀相同的电气特性,但只具有其部分电压阻断能力。 3.5 阀基电子单元(VBE)valve base electronics处在地电位的电子单元,是SVC 控制系统与晶闸管阀之间的接口。 3.6 均压电路 grade circuits与各晶闸管级并联的电路,用以使各串联级的电压分布均匀,同时吸收由于不均衡触发产生的电荷。 3.7 电压击穿(VB0)保护 voltage break-over protection晶闸管的一种过电压保护,当电压达到设定的电压值时使晶闸管触发开通。一般采用击穿二极管 (BOD). 3.8 晶闸管电子电路(TE)thyristor electronics信息. 在阀电位上执行控制功能的电子电路。接受阀基电子单元的控制信号,并向阀基电子单元回报阀的 3.9 冗余晶闸管级 redundant thyristor levels晶闸管阀中可以被短接,而仍能满足阀规定的型式试验要求的晶闸管级 3.10 多重阀单元 multiple valve unit;MU几个阀组装在同一个机械结构之中,不允许分开试验(如:三相阀)。 4型式试验、出厂试验和选项试验的共同要求 4.1 试验一览表 SVC阀的试验分为型式试验、出厂试验和选项试验。表1中列出TCR、TSR和TSC阀的试验项目、试验分类以及所在的条款号。 4.2 试验目的 以下所规定的试验适用于阀(或阀段)、阀结构以及分布在阀结构之内或者连接在阀结构与地之间的冷却系统、触发和监控电路及其连接光纤。阀控制系统和阀基电子单元等设备在阀试验中是必须的,但它们自身不是试验对象.4.2.1 绝缘强度试验应进行以下绝缘强度试验: ——交流电压: ——交流和直流叠加电压(仅对 TSC 阀): ——冲击电压. 4.2.1.1 阀结构试验 规定了阀(其阀端短接)对地以及多重阀单元的阀间电压耐受能力要求的试验。 试验应验证: ——有足够的距离防止闪络: —一阀结构(包括冷却管路、光纤以及脉冲传输及分配系统的其它绝缘部件),没有击穿放电:—一在交流和直流情况下,局部放电的起始和熄灭电压应大于阀结构在稳态运行中出现的最高电压. 4.2.1.2 阀端间试验 验证设计的阀端子之间耐受过电压的能力。 试验应验证: ——使阀的内部绝缘足以耐受规定的电压: —一在交流和直流情况下,局部放电的起始和熄灭电压应大于阀在稳态运行中出现的最高电压: ——过电压保护触发系统(如有)可按预设定值动作:—一在运行条件下晶闸管有足够的 dv/dt 能力。 4.2.2 运行试验 验证阀的设计在正常和异常重复情况以及在暂态故障情况下,耐受电压电流联合强度的能力。 在规定的条件下,试验应验证: ——阀运行正常: ——开通、关断时电压电流强度都在晶闸管和其它内部电路允许范围内: ——水冷系统的流量适宜,无元件过热: ——阀有足够的过电流耐受能力。

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