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存储芯片的先进封装技术从CoWoS到面板级封装.docx
资料介绍
存储芯片的先进封装技术：从CoWoS到面板级封装
1 引言
先进封装技术正在从后道工序演变为决定芯片性能的核心环节。在HBM、AI加速器和Chiplet架构的推动下，2.5D/3D封装、面板级封装和光电共封装等新技术快速发展。本章系统介绍存储芯片相关的主流先进封装技术，包括CoWoS、InFO、SoIC和面板级封装等。
2 2.5D封装技术
2.1 CoWoS
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是台积电的2.5D封装平台，通过硅中介层（Silicon Interposer）实现多芯片的高密度互连。CoWoS支持HBM与GPU/CPU的集成，是AI加速器封装的主流方案。
CoWoS的硅中介层采用65nm/28nm工艺制造，通过TSV实现芯片与基板的垂直互连。HBM通过微凸块与硅中介层连接，实现超过1TB/s的带宽密度。
2.2 InFO
InFO（Integrated Fan-Out）封装通过再分布层（RDL）实现芯片的扇出互连，省去了硅中介层，降低了成本和厚度。InFO在移动设备AP中广泛应用，部分HBM封装也在探索InFO方案。
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