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CoWoS与SoIC台积电先进封装双平台战略.docx

更新时间：2026-08-18 09:27:32 大小：39K 上传用户：烟雨查看TA发布的资源 标签：CoWoSSoIC台积电先进封装D集成 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

CoWoS与SoIC：台积电先进封装双平台战略

摘要

台积电的先进封装技术平台主要由CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和SoIC（System-on-Integrated-Chips）两大核心构成。CoWoS通过硅中介层实现2.5D集成，支持AI加速器与大容量HBM的高密度互连；SoIC通过3D混合键合实现芯片的垂直堆叠，提供极致集成密度。2026年，CoWoS产能供不应求，排期至2028年；SoIC实现1μm间距W2W量产，英伟达、博通计划2027年全面导入。本文从技术架构、产品路线、产能布局与产业影响等维度，系统分析台积电先进封装双平台战略。

一、引言：先进封装在台积电的战略地位

台积电已将先进封装定位为与先进制程并重的战略方向。在"后摩尔时代"，先进封装通过以下方式延续芯片性能提升：

1. 异构集成：将不同工艺节点的芯片集成在同一封装内

2. 高密度互连：通过硅中介层和混合键合实现芯片间的高带宽互连

3. 系统级优化：从芯片设计到封装集成的协同优化

CoWoS和SoIC构成台积电先进封装的两大核心平台，分别面向2.5D和3D集成需求。

二、CoWoS技术平台

2.1 技术架构

CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）通过硅中介层实现芯片与基板之间的高密度互连：


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