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CoWoS与SoIC台积电先进封装双平台战略.docx
资料介绍
CoWoS与SoIC：台积电先进封装双平台战略
摘要
台积电的先进封装技术平台主要由CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和SoIC（System-on-Integrated-Chips）两大核心构成。CoWoS通过硅中介层实现2.5D集成，支持AI加速器与大容量HBM的高密度互连；SoIC通过3D混合键合实现芯片的垂直堆叠，提供极致集成密度。2026年，CoWoS产能供不应求，排期至2028年；SoIC实现1μm间距W2W量产，英伟达、博通计划2027年全面导入。本文从技术架构、产品路线、产能布局与产业影响等维度，系统分析台积电先进封装双平台战略。
一、引言：先进封装在台积电的战略地位
台积电已将先进封装定位为与先进制程并重的战略方向。在"后摩尔时代"，先进封装通过以下方式延续芯片性能提升：
1. 异构集成：将不同工艺节点的芯片集成在同一封装内
2. 高密度互连：通过硅中介层和混合键合实现芯片间的高带宽互连
3. 系统级优化：从芯片设计到封装集成的协同优化
CoWoS和SoIC构成台积电先进封装的两大核心平台，分别面向2.5D和3D集成需求。
二、CoWoS技术平台
2.1 技术架构
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）通过硅中介层实现芯片与基板之间的高密度互连：
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