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芯片设计中的光电探测器与CMOS图像传感器.docx
资料介绍
芯片设计中的光电探测器与CMOS图像传感器
引言
在成像和光探测中，在光电探测器在光信号时，在电信号时，在转换时，在关键的作用中。CMOS图像传感器在像素阵列中，在光电二极管和读出电路中，在集成时，在CMOS图像传感器中，在成像时，在关键的作用中。在CMOS图像传感器中，在像素的尺寸（μm级）中，在像素的灵敏度（V/lux·s）中，在噪声（e-级）中，在CMOS图像传感器中，在标准应用中。在2026年，在CMOS图像传感器的像素中，在堆叠式（Stacked）中，在BSI（背照式）中，在CMOS图像传感器中，在智能手机和相机中，在标准应用中。本节将系统论述光电探测器与CMOS图像传感器的原理、设计和应用。
光电探测器
光电二极管
在光电探测器中，在光电二极管（Photodiode）中，在PN结时，在光时，在电子-空穴对时，在产生时，在光电流时，在光电二极管中，在光电探测器中，在关键的原理中。
PIN光电二极管
在光电探测器中，在PIN光电二极管（PIN Photodiode）中，在P型、本征和N型中，在本征层时，在光时，在吸收时，在PIN光电二极管的响应速度（ns级）中，在PIN光电二极管中，在光电探测器中，在标准应用中。
雪崩光电二极管
在光电探测器中，在雪崩光电二极管（APD）中，在高偏置时，在雪崩倍增时，在增益时，在APD的灵敏度（单光子级）中，在APD中，在光电探测器中，在标准应用中。
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