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低功耗CMOS带隙基准电压源设计

更新时间：2020-10-22 12:37:56 大小：791K 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：cmos 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。

Based on the principle of bandgap reference,a low power bandgap voltage reference containing start-up circuit was improving the feedback loop,this bandgap reference was of simple structure,low power,high power supply rejection ratio(PSRR)and low temperature circuit with a size of 100μm×94μm was realized by TSMC 0.13μm ording to the test result,at 1 V supply voltage,from-30℃ to 120℃,the bandgap voltage reference circuit has a temperature coefficient of 6.6×10-6/℃and the power dissipation is only 2.8μn the supply voltage changes from 0.76 Vto 2V,the output voltage deviation is 1.52 mW,and the power supply rejection ration is 58 dB.

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低功耗CMOS带隙基准电压源设计.pdf 791K

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