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CMOS图像传感器中关键模拟电路的研究与设计
资料介绍
本文首先分析了CMOS图像传感器中光电探测器件即光电二极管的原理及特性,并从CMOS图像传感器的工作原理出发,进一步对CMOS图像传感器系统结构进行分析。同时,本文还以大量文献为基础,分别研究并分析了CMOS图像传感器系统中像素阵列与像素单元电路、模拟信号处理电路和模数转换电路等关键模块的不同实现方法,比较了每种方法的优缺点和电路性能。
其次,本文分别对像素单元电路、模拟信号处理电路、带隙基准源和模数转换模块中的斜坡发生器和比较器等关键模拟电路进行了设计;并针对CMOS图像传感器中传统的三管有源像素单元电路输出摆幅小的缺点,提出一种改进的像素单元电路,使信号输出摆幅增大了约0.7V,提高了图像传感器的动态范围。接着,针对模拟信号处理模块中传统相关双采样电路占用面积大和功耗较高的特点,本文采用一种改进的相关双采样电路大大降低了CMOS图像传感器的功耗。
最后,基于SMIC0.35um 2P3M CMOS工艺,实现了CMOS图像传感器的关键模拟电路。整个CMOS图像传感器采用3.3V电源电压,在设计流程中使用Cadence公司的EDA软件进行电路性能仿真。通过对仿真结果进行分析,CMOS图像传感器的动态范围达到110dB,总功耗为113.3mW,符合预期的设计要求。
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