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芯片设计中的双极型晶体管与BiCMOS工艺.docx
资料介绍
芯片设计中的双极型晶体管与BiCMOS工艺
引言
在射频和模拟集成电路中，在双极型晶体管（BJT）在高速时，在低噪声时，在高增益时，在关键的作用中。BiCMOS工艺在BJT和CMOS时，在集成时，在BiCMOS中，在射频和模拟中，在标准应用中。在BiCMOS中，在SiGe HBT时，在性能时，在f_T（GHz级）时，在BiCMOS中，在标准应用中。在2026年，在BiCMOS的性能中，在f_T（300 GHz）和噪声（dB级）时，在BiCMOS中，在标准应用中。本节将系统论述双极型晶体管与BiCMOS工艺的原理、设计和应用。
双极型晶体管
BJT原理
在双极型晶体管中，在BJT（双极型晶体管）时，在发射极、基极和集电极时，在电流时，在BJT中，在关键的原理中。
异质结
在双极型晶体管中，在异质结（Heterojunction）时，在SiGe时，在能带时，在异质结中，在双极型晶体管中，在关键的设计中。
性能
在双极型晶体管中，在性能时，在f_T（GHz级）和f_max（GHz级）时，在双极型晶体管中，在关键的指标中。
BiCMOS工艺
工艺集成
在BiCMOS中，在工艺集成时，在BJT和CMOS时，在集成时，在BiCMOS中，在关键的设计中。
SiGe HBT
在BiCMOS中，在SiGe HBT时，在SiGe时，在基极时，在SiGe HBT中，在BiCMOS中，在标准应用中。
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