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80C196KC单片机中子和γ综合电离辐射效应研究
资料介绍
由于辐射环境存在综合性，因此选择对综合辐射效应进行研究。单片机一般为CMOS工艺，对电离辐射十分敏感，故而着重研究其综合电离辐射效应。研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验，发现总的静态电流增长不明显。通过分析，得出了在反应堆的综合辐照环境下，中子电离效应较弱，并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低，使得总的静态电流下降，从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长的结论。本课题的研究得到了大量有价值的数据，对以后的研究工作初步奠定了基础。
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| 80C196KC单片机中子和γ综合电离辐射效应研究.pdf | 2M |
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