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3D NAND多层阵列堆叠MSA-CBA架构实现1000字线超高密度.docx
资料介绍
3D NAND多层阵列堆叠MSA-CBA架构——实现1000字线超高密度闪存
摘要
铠侠与闪迪在2026 VLSI上联合推出MSA-CBA（多层阵列堆叠-CBA）架构，通过晶圆对晶圆（W2W）铜直接键合工艺完成多片存储阵列晶圆的逐层堆叠，实现1000根以上字线的超高密度3D NAND。MSA-CBA采用F2F和B2F两种键合模式交替堆叠，每片阵列承载218根字线，原型样片实现两组17层阵列堆叠。本文从MSA-CBA架构原理、键合工艺、QLC可靠性验证与产业化前景等维度，系统分析这一前沿技术。
一、MSA-CBA架构原理
传统单层CBA架构仅能堆叠单组存储阵列，当字线层数超过400层时出现单元电流衰减、晶圆翘曲和存储块膨胀三大问题。MSA-CBA通过多层阵列堆叠，在CMOS基底晶圆上逐层贴合多片独立存储阵列晶圆，将总字线规模拓展至1000根以上。
二、键合工艺突破
MSA-CBA采用F2F和B2F两种铜直接键合模式交替堆叠。核心制造瓶颈来自剥离SL层后产生的微米级台阶，通过二氧化硅填充和差异化CMP平坦化工艺消除台阶落差，自研晶圆对准校正技术可补偿翘曲晶圆偏移误差。
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| 3D_NAND多层阵列堆叠MSA-CBA架构实现1000字线超高密度.docx | 37K |
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