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3D NAND电荷陷阱切割技术防止电荷横向迁移隔离方案.docx
资料介绍
3D NAND电荷陷阱切割技术——防止电荷横向迁移的隔离方案
摘要
在3D NAND中，电荷俘获层（氮化硅）中的电荷可能发生横向迁移，导致阈值电压漂移和数据错误。电荷陷阱切割（Charge Trap Cutting）技术通过将连续的电荷捕获层在垂直方向上进行物理隔离，防止存储电荷横向迁移，有助于增大存储窗口，为每个单元存储更多比特创造条件。本文从电荷横向迁移机理、切割技术与工艺实现等维度，系统分析这一关键技术。
一、电荷横向迁移问题
在3D NAND中，电荷俘获层中的电子可能沿氮化硅层横向扩散，导致相邻存储单元的阈值电压发生变化。随着字线间距缩小和堆叠层数增加，横向迁移问题更加严重。
二、电荷陷阱切割技术
电荷陷阱切割通过刻蚀工艺在电荷俘获层中形成物理隔离槽，将连续的电荷捕获层切割为独立的存储单元区域，从根本上防止电荷横向迁移。
三、对存储性能的提升
· 增大存储窗口：阈值电压分布更窄
· 支持多比特存储：为QLC和PLC创造更稳定的电压分布
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