- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
3D NAND垂直通道刻蚀技术高深宽比超过70比1的工艺挑战.docx
资料介绍
3D NAND垂直通道刻蚀技术：高深宽比超过70:1的工艺挑战
摘要
垂直通道（Vertical Channel）刻蚀是3D NAND制造中最关键的工艺步骤之一。在3D NAND中，需要刻蚀出数十亿个高深宽比的圆柱形通孔，深宽比超过70:1，孔径仅约100纳米，深度达10微米以上。低温刻蚀技术通过精确控制晶圆温度和气体化学性质，实现了近乎垂直的孔道形态。本文从刻蚀原理、低温刻蚀技术、工艺挑战与解决方案等维度，系统分析3D NAND垂直通道刻蚀技术。
一、垂直通道刻蚀原理
3D NAND垂直通道刻蚀使用深反应离子刻蚀技术，在氧化硅/氮化硅交替堆叠层中刻蚀出数十亿个圆柱形通孔。这些通孔随后被填充多晶硅沟道，形成垂直的存储单元串。
二、低温刻蚀技术
低温刻蚀（0°C至-60°C）通过保持晶圆低温状态，抑制不必要的侧壁刻蚀，增强离子迁移率和轰击效果，实现近乎垂直的孔道形态。Lam Research已在3D NAND生产晶圆厂中安装了1000个低温刻蚀腔。
三、关键工艺参数
刻蚀工艺需要精确控制30余项参数，包括晶圆温度、气体化学性质、射频功率、腔体压力等。用于刻蚀的掩模使用厚非晶碳硬掩模，保护刻蚀过程中需要保留的区域。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 3D_NAND垂直通道刻蚀技术高深宽比超过70比1的工艺挑战.docx | 37K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
13573902396 打赏1.00元 9小时前
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：他山之石可攻玉
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：w993263495
-
21下载积分 打赏10.00元 3天前
用户：烟雨
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21下载积分 打赏70.00元 3天前
用户：铁蛋锅
-
21下载积分 打赏65.00元 3天前
用户：xzxbybd
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：jh0355
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：w178191520
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：jh03551
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：pcb
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：bhacker
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：有理想666
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：godbox
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：aetek
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：JuneLin61
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：ccc6188
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：木集盒
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏3.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏10.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏8.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
全部评论(0)