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3D NAND垂直通道与水平通道技术.docx
资料介绍
存储芯片的3D NAND Vertical Channel与Horizontal Channel技术
一、引言
3D NAND的垂直通道（Vertical Channel）与水平通道（Horizontal Channel）是两种基本的存储单元排列方式，决定了3D NAND的工艺路线与性能特性。垂直通道是当前3D NAND市场的主流技术路线，存储单元围绕垂直通道孔排列。水平通道将存储单元排列在水平方向上，在工艺复杂度与性能方面具有不同的特点。
垂直通道3D NAND通过蚀刻垂直通道孔，在通道孔侧壁沉积多层存储单元，堆叠层数可达到300层以上。水平通道3D NAND将存储单元水平排列，在工艺上更容易实现，但存储密度较低。2026年，垂直通道3D NAND占据市场绝对主导地位，水平通道3D NAND在特定应用场景中仍有应用。本文将从技术原理、工艺对比、性能差异与未来趋势四个方面，对3D NAND的垂直通道与水平通道技术进行全面分析。
二、垂直通道技术
2.1 工艺原理
垂直通道3D NAND在硅衬底上蚀刻垂直通道孔，在通道孔侧壁依次沉积隧道氧化物、电荷俘获层、阻挡氧化物与多晶硅栅极。存储单元围绕垂直通道孔排列，在垂直方向上堆叠。
2.2 优势
垂直通道3D NAND的存储密度高，堆叠层数可达300层以上，单位比特成本低。
三、水平通道技术
3.1 工艺原理
水平通道3D NAND将存储单元排列在水平方向上，通过多层栅极堆叠实现垂直方向的密度提升。
3.2 优势
水平通道3D NAND的工艺复杂度较低，存储单元的电气特性更容易控制。
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