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SIMC synopsys工艺库
资料介绍
VeriSilicon SMIC 0.13um高密度标准单元库应用说明
1.
推荐工作条件
typ最大最小
核心直流电源电压(伏特)1.2v 1.32v 1.08v
IO直流电源电压(伏特)2.5v 2.75v 2.25v
结温(摄氏)25 125
2.
降额因子
给出了硅芯片0.13um高密度标准细胞库的降阶因子
在文件中，只用于预布局估计。
3.
Synopsys对此模型
一个。
我们的synopsys库中给出的线路加载模型仅供参考。
所以请
创建适合您的设计的自定义线负载模型。
b。
请考虑应该为哪个单元格(如果有的话)添加dont_use和dont_touch
合成并忽略我们的设置。
c。
由于我们合成工具的版本可能与您的不同，建议您使用
使用自己的库编译器工具创建db文件。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 31b241a3584cdfa85ded662b6af95761.pdf | 6M |
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