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存算一体芯片技术路标与产业化路线图2026-2030.docx
资料介绍
存算一体芯片技术路标与产业化路线图2026-2030
1 引言
存算一体芯片正从"技术验证"向"规模化商用"跨越。2026年作为产业化的关键元年，知存科技出货千万颗、微纳核芯3D-CIM产品化、亿铸科技全数字方案流片，标志着产业进入加速期。本章作为存算一体产业化系列的收官之作，系统总结存算一体芯片的技术路标、产业化路线图和未来展望。
2 技术路标
2.1 存储介质演进
NOR Flash（2024-2026，量产成熟）→ SRAM（2025-2027，宏单元量产）→ DRAM 3D近存（2026-2028，3D-CIM量产）→ ReRAM（2027-2029，商业化）→ MRAM（2028-2030，高性能方案）。
2.2 计算精度演进
INT4（2024-2025）→ INT8（2025-2027）→ BF16/FP16（2027-2029）→ 混合精度（2029-2030）。
2.3 集成度演进
单芯片（2024-2026）→ Chiplet（2026-2028）→ 3D堆叠（2027-2029）→ 晶圆级（2029-2030）。
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