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输出电压为1V的LDO设计
资料介绍
本文设计了输出电压为1V的LDO，它的主要结构由带隙基准电压参考电路、误差放大器、前馈放大器、求和放大器和传输网络等构成。另外为了保证电路安全可靠的工作，本文还应用了过温保护电路和过流保护电路。当温度超过150℃时，过温保护电路输出一个低电平信号，提醒用户芯片温度过高，当芯片的温度降低到130℃时，过温保护电路输出为高电平，表明芯片工作温度恢复正常，芯片可以正常工作。当LDO的负载电流超过120mA时，过流保护电路会启动，它会把输出电压降低到ov，从而关断后续电路，防止由于过大的电流导致功率消耗激增，烧毁芯片，此时用户可以采取措施，降低负载电流，比如增加负载电阻。前馈放大器和求和放大器一起构成了一个前馈通路，前馈通路的主要作用是提高LDO在频率较高的情况下，对于电源纹波的抑制作用。
本设计的LDO具有较宽的输入电压变化范围（1.28V-5V），可提供稳定的IV的输出电压，温度范围为（-40℃-120℃），温度系数为2.998ppm/℃，具有较好的温度特性。该LDO的最大负载电流为120mA，在满量程负载电流条件下的输出电压摆幅为480mV。当不考虑带隙基准电路对于整体电路的影响时，可以得到，在100Hz时，电源抑制比为74.5dB，在1kHz时，电源抑制比为76.6dB，在10KHz时，电源抑制比为70.6dB，在100kHz时，电源抑制比为52.5dB，可见前馈通路确实提高了LDO对于电源纹波在高频时的抑制作用。
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2023-03-05 00:55:25laixuel
非常感谢，正需要这个资料
2020-05-05 18:53:48wp6511899
顶！！！