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关于塑封VDMOS器件热点的研究
资料介绍
主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因，从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 关于塑封VDMOS器件热点的研究_柴彦科.pdf | 2M |
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