SJ 50033_178-2018 半导体分立器件 3CG2605 3CG2605UB型硅PNP高频

SJ 50033_178-2018 半导体分立器件 3CG2605、3CG2605UB型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 范围 本规范规定了3CG2605、3CG2605UB型硅PNP高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和使用。 规范性引用文件 RY AND INFORMA下列文件中的条款通本规范的引用而成为本规范的条款。凡是期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘凝的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文性的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB/T 4587-199半导体分立器件和集成电路 第7部分；双极型品体管GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸 GB 12300-90功率品体管安全工作区测试方法 GJB 33A-1997半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 总则 以本规范为准。 要淀的所有要求。本规范的要求与GJB 33A-1997不一致时，应 3.2 设计、结构和外形尺997的DARDS 3.2.1 引出端镀涂层 3.2.2 器件结构 器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3CG2605外形尺寸应符合GB/T 7581-1987中的A3-01B型，见图1的规定；3CG2605UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2 . 4.2.2 电测试要求 电测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定。 4.3 鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33A-1997及本规范表4至表9的规定 4.4 质量一致性检验 4.4.1 通则 质量一致性检验应按GJB 33A-1997及本规范表4至表7的规定。 4.4.2 A 组检验 A组检验应按GJB 33A-1997的表3和本规范表4的规定进行。 4.4.3 B 组检验 JY级器件B组检验应按GJB 33A-1997的表4和本规范表5的规定进行，JP、JT、JCT级器件B组检验应 4.4.4 C 组检验4.4.5 D 組检验4.5 检验和试验方法 4.5.1 脉冲测试 脉冲测试应按GJB128A-1997的4.3.2.2的规定。 4.6 宇航级定级试验材料要求 鉴定检验时，宇航级器件应提交以下材料 a）器件在最高工作温度和最低工作温度的全餐效测试数据。 b）器件最大额定值的验把数据或证明资料。 c）器件进行稳态工作寿命摸庆试验的数据。摸病试验时间：4 000 h或至少一半的器件出现失效，取小都 4.7 工艺过程控制补充要求 除GJB 33A-1992中规定的工艺过程控制外，承制方应按附录B的规定对数一数性进行监控。 A.1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型晶体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T）是否达到了规定的数值。 A.2 设备 要求测试设备能在受控的温箱、温槽内或热板上，在所要求的7下测量被试器件样本的温度敏感参数（TSP）A.3 程序 A.3.1 确认器件在规定结温下的TSP A.3.1.1 通则 采用一选定的小测量电流。该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热。TSP取样的占空比应不大于加热时间（g）的1%.应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同的功率或加热电流（1）。 被试器件的结构应与进行老炼和寿命试验的器件的结构相同。除另有规定外，应至少抽取5只器件进行测量。 A.3.1.2 确定要求的结温 首先确定老炼或寿命试验所要求的结温。对于军用器件的老炼筛选，最低结温应按相应的详细规范规定。除另有规定外，最高结温应为被试器件的额定最高结温。 A.3.1.3 达到规定的结温 应在独立的温度受控的温箱、温槽中或热板上将结温控制到规定值，允差为士2K（或按要求）。 A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到热平衡后，应采用小的稳定测量电流（I）记录一系列的TSP。这些TSP应为品体管的基极-发射极电压（VBE）.M的大小应大至足以保证VEE的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实T。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小.