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Si衬底GaN基材料及器件的研究

更新时间:2016-12-31 21:28:43 大小:227K 上传用户:lihui567查看TA发布的资源 标签:Si衬底GaN基材料 下载积分:0分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(2) 举报

资料介绍

GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有极大的应用前景。

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Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf 227K

全部评论(2)

  • 2020-06-03 13:47:52yorkduke

    虽然Si基GaN的成本已经在降低,但是可靠性问题还是有比较长的路要走。

  • 2017-07-07 14:33:55故事里的小黄花

    深刻 详细 很好 值得

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