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Si衬底GaN基材料及器件的研究
资料介绍
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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| 文件名 | 大小 |
| Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf | 227K |
全部评论(2)
2020-06-03 13:47:52yorkduke
虽然Si基GaN的成本已经在降低，但是可靠性问题还是有比较长的路要走。
2017-07-07 14:33:55故事里的小黄花
深刻 详细 很好 值得