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PCM能否成为下一代存储技术标准？
资料介绍
作为一种新型的非易失性存储技术，PCM（相变存储技术）可谓风光占尽。2007年初，瑞萨宣布携手日立开发出运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块，2009年恩智浦首席技术执行官Rene PenningdeVries在一场技术研讨会上也高调表示：PCM技术非常有前景，未来恩智浦将持续关注该技术发展。今年的IIC-China 2009武汉站上，华中科技大学电子系教授缪向水也向笔者分析：下一代存储器技术既不是MRAM(磁阻式随机存储器)，也不是FeRAM(铁电随机存储器)，而是目前还正处于研发阶段的相变存储器。
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