推荐星级:
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路
资料介绍
功率MOSFET具有开关速度快,导通电阻小等优点,因此在开关电源,马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中,电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注,尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计,导致在实际的应用中,MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题,从而优化MOSFET的驱动性能,提高整个系统的可靠性。
部分文件列表
文件名 | 大小 |
基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路.doc | 195K |
相关下载
- 华为模块电源管理设计指导-(V100R001_02 Chi...
- 华为LGA模块PCB设计指导_V2.0_20150126.pdf
- HUAWEI Module USB Interface Descriptor Gui...
- HUAWEI ME909s-821 LTE LGA模块硬件指南V100R...
- HUAWEI ME909s-821 LTE LGA Module Acceptanc...
- HUAWEI 30 mm x 30 mm LGA Module Hardware M...
- HUAWEI 30 mm x 30 mm LGA Module Developmen...
- Altium_Designer_规则设置三例.pdf
- STM32F407产品技术培训-DSP库及其例程
- STM32F407产品技术培训-2.浮点单元.pdf
全部评论(0)